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復旦微電子考研心得
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樓主
復旦的復試還是很公正的,復試的時候分了三個組,每組5個老師,4個設計1個工藝,4個設計包括模擬和數(shù)字的.先是英語聽說,讓你讀一段專業(yè)英語,然后用英語總結,呵呵,說真的,那段英語我沒看懂.然后讓我用英語介紹下合肥,我又蒙了!英語測試后是專業(yè)測試,都是很基礎的問題,不過范圍很廣,從模電,數(shù)電,到模擬設計,工藝,大家也不要怕,老師也知道你不怎么懂的,個人感覺我回答的不好.復試出來的時候,楸了一眼,足足記錄了兩頁紙,老師對每一項都打分,感覺好象我說的每一句話,他們都記錄下來了,感嘆一下!
介紹下心得和情報吧！復旦沒有想象的那么難，但也不簡單。分析一下，復旦專業(yè)課最高分132，還是一個哈工大的人考的，所以專業(yè)課難大家都難，復旦的學生專業(yè)課上的優(yōu)勢沒有想象的那么大，但同樣不能忽視專業(yè)課的復習。考復旦，基礎課一定要好，英語70+數(shù)學130+，專業(yè)課考個110左右，這樣總分就差不多了。 1.復旦07年設計的復試線是343，比06年的369低了20多分吧！今年題目比較難。 2.大家不要輕信網(wǎng)上買的復旦資料，我買了一份，200塊，拿到手一看一無是處，我復習的時候根本就沒有看買的那些資料。 3.復試非常重要，今年有個360+的被刷了。專業(yè)背景很重要，所以不鼓勵跨專業(yè)。 下面談談專業(yè)課復習 1)模電 看的是（童）的書，錯誤很多，我是都看完了，課后習題全做了。又聽網(wǎng)上介紹買了一本清華出的習題集（唐競新），作完后感覺沒什么用處，題目重復很多，還超范圍，可以說完全沒必要買這本習題集。大家把童的書多看幾遍就沒問題了。今年聽說復旦出了一本模電，沒有看過，不評論。 2)數(shù)電 看的是復旦的教材（陳光夢）和配套的教學參考，這本書寫的非常不錯，內(nèi)容和講解都很詳細，錯誤只有一兩處吧！課后習題當然是全做了，06年考了一個奇偶校驗的題和課后習題很像，07年的題的解題思路和教學參考上講的一樣。讀看幾遍吧，基礎差的可以找別的數(shù)電來加強一下。 3)集成電路部分 說真的，這部分內(nèi)容我還是不知道怎么考的，非常亂。06年出了一道VHDL的題，07年一道版圖，一點規(guī)律都摸不到。要說經(jīng)驗，先把考試大綱上要求的概念背下來吧，再看看CMOS，CMOS上的幾個公式非常重要。07年模電部分的一道大題，差分放大，恒流源的電流沒有直接給出來，而是用CMOS上的電流公式求解。解出來電流，整個題就非常簡單了。題目很簡單，但是沒看過CMOS，電流不會求，這個題得不到分了。CMOS的內(nèi)容還是有點多，我有復旦老師總結的10多頁資料，記下來就好了。ASIC和數(shù)字電路設計就只有碰碰運氣了，聽聽工大自己開的課。05年考的判斷電路故障的一維通路敏化法，工大老師就講過。 總體來說,大家先樹立考復旦的信心!付出總有回報,堅持到底,希望明年能見到工大的學弟學妹^_^ 心得之二: 總體感覺復旦的微電子不論初試還是復試還是挺公平的,我認識一個那邊的研究生,他本科就在復旦讀,他說他們考研之前專業(yè)課的老師是不會劃題目劃范圍的,所以他們在專業(yè)課上的優(yōu)勢不會有其它一些學校那么強,當然由于他們有本科筆記以及期末考試這些原因,絕對的公平是做不到的。 下面就具體說一下吧。 公共課就不多說了，主要講下專業(yè)課。復旦微電子專業(yè)分設計方向和工藝方向，今年設計方向復試線是343，工藝方向是353，雖然設計的線比工藝線低了10分，但設計絕對是比工藝難考得多的，工藝初試時考半導體物理和半導體器件，而設計則要考模電，數(shù)電，模擬集成電路，數(shù)字集成電路，專用集成電路。其中后面三門課是校外考生最擔心的。 大家要考設計的話就要好好衡量后再作決定。 模電在今年八月分以前指定參考書是童詩白的模電，八月分后是童詩白或者陳光夢的模電，陳光夢的模電是復旦自己出的，比起童詩白的那本要薄許多，假如大家覺星童詩白的那本太厚了可以看另外一本，我看過一下內(nèi)容，考試范圍應該沒超出其講的內(nèi)容。總的來說，大家要是大二時好好學過模電的話是不用太擔心的，模電每年考試的內(nèi)容大概是概念題，計算題（通常是多級放大電路的計算），然后是含有運放的電 路分析，有時也會出差分電路。當然這只是大概來講，大家復習時要把考試大綱上列的內(nèi)容都復習到。 數(shù)電是大家要注意的，指定參考書是陳光夢編的《數(shù)字邏輯基礎》，即使你大二時數(shù)電學得相當好也要當心，因為它考的比我們學的前進許多。例如今年的數(shù)字電路部分有這樣一些題目： 設計一個三人表決電路,兩人以上同意即通過. 給出一個邏輯函數(shù) 分別用4選一 八選一 與非門實現(xiàn) 用全加器實現(xiàn)四位數(shù)的加減法運算 選用D觸發(fā)器組成可以自啟動的扭不形6進制計數(shù)器.再用扭環(huán)形計數(shù)器實現(xiàn)100100序列 檢測101的序列檢測器。 大家可以看出第一，二題大部分學過數(shù)字電路的同學都可以很快做出，但后面的要是不經(jīng)過復習是很難做出來的。 所以大家要聽LZ的話，課后習題要好好做。最好做一下前幾年的復旦電子線路的題目，那時的數(shù)電更加難呵。 模擬集成電路用的是UCLA教授拉扎維的《模擬CMOS集成電路》，這本書是模擬集成電路教材中的經(jīng)典。注重培養(yǎng)讀者設計電路時的直覺，因此其對一些問題的論述好是奇妙。再加上西安交大的中譯版譯得很不錯，因此他是初學者必看的一本書。不過對于考研如我輩者，要把他啃下來甚是費勁，從05年開始加入了這一內(nèi)容，05考的是gain boost中的一道例題，06考的是二極管連接作為負載的共源級，負載器件旁邊并聯(lián)了一個電流源，這也是書上的一道例題，可今年考的源跟隨器加電流鏡似乎在書上找不到對應例題，而且這題里有許多小題，最后一小題還考到了頻率特性那一章中求-3db點的內(nèi)容，所以要拿高分實在不容易呵！ 數(shù)字集成電路指定參考書是UC.Berkeley教授Jan M.Rabaey寫的《數(shù)字集成電路設計透視》，這是數(shù)字集成電路設計的一本經(jīng)典教材，現(xiàn)在已出了第二版，復旦指定的是第一版，而且是英文版，由于現(xiàn)在第一版已經(jīng)不好找了，而且第一版沒有中譯版，所以大家可以可以看第二版，電子工業(yè)出版社出了它的中譯版。我看了一下，第二版中與我們相關的改動主要是器件模型方面，他在一些推導中考慮了短溝道下的速度飽和效應，因此管子在飽和時溝道電流不遵循平方律，而改以另外一個公式。所以推導有時看起來會覺得挺復雜的。還有的是第二版把ECL，TTL的一些內(nèi)容刪除，只討論MOS。但實際上05年以來，數(shù)字集成電路部分沒考過計算題，所以用不到公式，要是以后用的話，大家用平方律的公式就好啦。其它的由推導得出的一些結論兩版基本一致。 這一部分05年考的是CMOS的latch up效應，06考的是傳輸管邏輯的內(nèi)容，今年考的是CMOS邏輯，其中還考到了版圖，不是微電，電科出身的同學要注意呵。 專用集成電路部分出題的確沒什么規(guī)律，不過似乎每年都得考一點測試方面的內(nèi)容，如05考了一維敏化法求測試向量，DFT的概念，06考了故障覆蓋率的概念，今年考了s-a-0的概念以及提高故障覆蓋率的意義。除此之外也考過硬件描述語言（06）ASIC的分類及特點。這部分現(xiàn)在的指定參考書是復旦自編的專用集成電路講義。電科，微電同學要做的是大四上你們開的VHDL，和CAD兩門課不要逃。 總體來說復旦專業(yè)課考的東西很多，要求有一定的專業(yè)背景，本專業(yè)的同學最好不要逃專業(yè)課，像集成電路基礎這一大四上開的課還是要上的，電科的同學還要做課程設計，其中就有做版圖的內(nèi)容，幸好這次課程設計認真做了，所以數(shù)字IC的那題答得還可以。還有學習模擬集成電路對半導器件的知識還有要求的,所以這學期電科和微電同學的半導體器件課也要上，特別是MOS部分。 最后說說復試，情形大概也就像LZ所說的，不會單獨考聽力，口語是念一篇英文科技文章，然后summary，總結出來的大概就不會要你用英語閑扯了。接著的專業(yè)問答每個人不一樣，問我的主要內(nèi)容是數(shù)字IC和CAD方面的內(nèi)容，如CMOS比起NMOS組成反相器有什么優(yōu)點，前仿真和后仿真的區(qū)別，LVS，ATPG的概念等。還問了我一下本科階段做過的事，課程設計，畢業(yè)設計。所以復旦的確很重視學生的專業(yè)背景。 心得大概也就上面這些，回想起這一年來的事，自己覺得結果是來之不易，因為身體在這一年來一直不太舒服，生活中還受到許多雜七雜八的事的纏繞，所以心里的壓力一直都挺大的，有時覺得是任何希望都沒有了，但就是一堅持下來，黎明前另人膣息的黑暗始終會過去的，清爽的早晨終究會到來。大家加油呵！！！！！（zz) |
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