中國科學技術大學

孫錢
單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
地址：江蘇省蘇州工業園區若水路398號
郵編：215123
電話：0512-62872721
個人主頁：http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/201205/t20120502_3567386.html

個人簡歷  Personalresume 
孫錢，現任中科院蘇州納米所研究員、博導，器件部副主任，美國耶魯大學博士，中組部首批國家“青年****”，國家優秀青年自然科學基金獲得者，國家技術發明一等獎獲得者。

2002年提前一年從中國科技大學畢業，獲材料物理理學學士和計算機科學與技術工程學士雙學位，并榮獲郭沫若校長獎。同年以全系第一名的成績免試推薦到中科院半導體所攻讀碩士學位。2005年碩士畢業后到美國耶魯大學深造，于2009年獲得博士學位，并榮獲耶魯大學工學院五個系每年唯一的優秀博士畢業生獎Becton獎。博士畢業后在耶魯大學電子工程系任AssociateResearchScientist。2010年6月加入美國硅谷的普瑞光電公司BridgeluxInc.，任EpiR&DScientist，負責8英寸硅襯底GaN基高效LED的外延研發。2011年入選中組部首批國家“青年****”，2012年入選江蘇省“雙創人才”計劃和蘇州工業園區“金雞湖雙百人才”，2015年被評為中國電子學會優秀科技工作者。

迄今為止，在NaturePhotonics、Nanotechnology、AppliedPhysicsLetters等期刊上發表了70余篇被SCI收錄的學術論文，總引用900余次。參與編寫了英文專著一章，是20余項美國和中國發明專利的發明人，其中一項已許可給韓國首爾半導體SeoulSemiconductor公司量產LED。曾受國際氮化物會議ICNS、IWN、ICMOVPE、WLED、ChinaSSL、SemiconTaiwanLED等國際會議邀請作特邀報告。此外，還應邀為NanoLetters、Nanotechnology、AppliedPhysicsLetters等多家國際學術期刊評審論文。目前為國家重點研發計劃課題、科技部863計劃課題、國家自然科學基金重點項目、工信部電子信息產業發展基金項目、江蘇省科技成果轉化專項、江蘇省科技支撐計劃項目、及蘇州市科技計劃項目等的負責人。

十余年以來一直致力于寬禁帶半導體GaN基材料生長及新型高效LED、激光器、GaN基功率電子器件等的研發與產業化。

（1）在美國硅谷的普瑞光電公司工作期間，在8英寸硅襯底上實現了160流明/瓦的高光效GaN基LED。普瑞光電公司已將該技術轉售給日本東芝公司，獲技術轉讓費逾1億美元。回國后與晶能光電有限公司進行產學研實質性合作，兼任公司硅襯底GaN基LED研發副總裁，帶領團隊成功研發出新一代硅襯底GaN基高效LED的外延及芯片工藝技術，并在全球率先成功產業化，2014年晶能光電基于該技術而新增的LED產品銷售逾3億人民幣（毛利率逾40%），打破了國際上基于藍寶石和碳化硅襯底的LED技術專利對我國的封鎖。孫錢博士因此榮獲2016年國家技術發明一等獎。

（2）2015年實現了國際上第一支硅襯底GaN基藍紫光激光器（氮化物半導體的另一種重要光電器件）的電注入室溫連續激射，有望大幅降低GaN基激光器的制造成本，加速推進我國激光顯示與激光照明等戰略新興產業發展，而且還為硅基光電集成提供了一種新的技術路線。部分成果已發表在NaturePhotonics10,595–599(2016)

（3）在Si襯底氮化物電力電子方面，孫錢研究員的課題組研發的硅基氮化物外延材料的擊穿電壓已突破1500V，并且通過P型柵實現了增強型電力電子器件，將推進我國第三代半導體電力電子器件的產業化進程。

研究方向  Researchdirection 
1、寬禁帶半導體光電子材料
2、寬禁帶半導體電子器件
3、材料生長與測試表征