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分類:導師信息 來源:武漢理工大學材料科學與工程學院 2019-01-29 相關院校:武漢理工大學
一、姓名:李俊國
二、基本情況:
1、出生年月:1972年11月
2、學位: 博士
3、職稱: 副教授
4、工作院系: 材料學院
三、教育經歷(從大學開始):
1990年9月-1994年6月 武漢工業大學 材料科學與工程專業 本科
1994年7月-1997年6月 武漢工業大學 無機非金屬材料專業 碩士
2000年4月-2000年9月 日本東北大學 地球工學專業 研修
2000年10月-2004年3月 日本東北大學 地球工學專業 博士
四、工作經歷
1997年7月-1999年11月 武漢工業大學新材料研究所 研究實習員
1999年11月-2005年5月 武漢工業大學新材料研究所 助理研究員
2005年6月- 武漢理工大學材料學院 副教授
五、研究領域(不多于3個):
1、結構陶瓷 2、生物材料
六、科研項目(不多于5項):
1、超高溫陶瓷 973
2、太陽能多晶硅錠涂層用高純氮化硅粉制備技術 企業合作項目
七、代表性論文及著作(不多于10項):
1. Li JG, Yuan WJ, Zhou YZ, Zhang LM, “Effect of Sn on the Sintering of Fe-Si Alloys”, Key Engineering Materials Vols. 368-372 (2008) pp 1591-1592
2. Li JG, Hashida T, Preparation of hydroxyapatite ceramics by hydrothermal hot-pressing method at 300°C, J. Mater. Sci, 42 (13): 5013-5019, 2007
3. Li JG, Hashida T, In situ Formation of Hydroxyapatite-Whisker Ceramics by Hydrothermal Hot-Pressing Method, J. Am. Ceram. Soc., 89 [11] 3544–3546 (2006)
4. Li JG, Onoki T, Liu LH, Hashida T, “Role of NH4+ on the Formation of Hydroxyapatite Ceramics with Lamellar Structure by Hydrothermal Hot-Pressing”, Journal of the Japanese Bio-Electrical Research Society, 17(2003) 27-32
5. Li JG, Zhang LM, Shen Q, Hashida T, Degradation of yttria stabilized zirconia at 370 K under a low applied stress, Materials Science and Engineering A-Structural Materials Properties Microstructure and Processing. Vol.297(1), 26-30, 2001
6. Li JG, Onoki T, Liu LH, Nakahira A, Hashida T, “Low temperature synthesis of hydroxyapatite ceramics from octacalcium phosphate by hydrothermal hot pressing”, Proceeding of International Symposium of Young Scholars on Mechanics and Material Engineering for Science and Experiments, 214-217, 2001
7. Li JG, Onoki T, Liu LH, Nakahira A, Hashida T, “Preparation and mechanical properties of hydroxyapatite ceramics by hydrothermal hot pressing at low temperature”, Asian Pacific Conference on FRACTURE and STRENGTH’01 and ADVANCED TECHNOLOGY in EXPERIMENTAL MECHANICS’01, Vol.2, 1068-1073, 2001
八、聯系方式:
1、Tel:87168606
2、E-mail:lijg000@126.com
3、工作地址(實驗室):FGM研究室
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