西安交通大學

從西安交通大學研究生招生信息網獲悉，2021年全國碩士研究生招生考試西安交通大學910CMOS集成電路設計參考書目及考試大綱公布，內容如下：

2021年CMOS集成電路設計（910）考試大綱

考試科目：CMOS數字集成電路、CMOS模擬集成電路

考試形式和試卷結構

一、試卷滿分及考試時間

試卷滿分為150分，考試時間為180分鐘．

二、試卷內容結構

CMOS數字集成電路                         　約90%

CMOS模擬集成電路                           約60%

三、試卷題型結構

簡答題                                              10小題  共50分

解答題（包括計算、電路分析、版圖結構等）             8小題，共100分

考試范圍

（CMOS數字集成電路）

1. CMOS反相器的靜態特性和動態特性，反相器功耗；

2. CMOS傳輸門；

3. CMOS組合邏輯電路；

4. CMOS時序邏輯電路(RS觸發器、鎖存器、邊沿觸發的D觸發器)；

5. 動態CMOS邏輯電路(預充電-求值（PE）邏輯、多米諾邏輯)；

6. 數字集成電路連線模型、延時、寄生參數；

7. 數字集成電路設計流程、設計方法
 
（CMOS模擬集成電路）

8. 單級放大器、差動放大器、無源與有源電流鏡；

9. 運算放大器結構與設計;

10. 模擬集成電路中的反饋；

11. 放大器的頻率特性與頻率補償

參考書目：

（CMOS數字集成電路部分：1或2均可）

1、 Sung-Mo Kang, Yusuf Leblebici, Chulwoo Kim 著，王志功，竇建華 譯，CMOS數字集成電路——分析與設計（第4版），電子工業出版社，2015年4月出版，ISBN:9787121249877

2、 Rabaey J著，周潤德等譯，數字集成電路——電路、系統和設計（第二版），電子工業出版社，2010年11月1日出版，ISBN：9787121119828
（CMOS模擬集成電路部分）

3、 模擬CMOS集成電路設計,[美]畢查德.拉扎維 著, 陳貴燦，程軍，張瑞智等譯,西安交通大學出版社，2003年2月出版，ISBN：9787560516066