中國人民大學

曹永革 （Yongge Cao）教授,材料物理,博士生導師

1998在北京科技大學獲材料學專業博士學位。1998年至2006年間訪問香港、日本多個重要學術單位。2006年被西北工業大學聘為特聘教授，并入選2006年度教育部“新世紀優秀人才”計劃。2006.9被中國科學院福建物質結構研究所聘用，入選中科院“百人計劃”，并獲得擇優支持。

主要從事透明激光陶瓷和InGaN半導體第三代薄膜太陽能電池兩個方向的研究工作。利用自主設備與創新工藝制備了高透過率的Nd:YAG透明陶瓷，實現了高效激光輸出（22.5W，效率52.6%），為目前國內最高的陶瓷激光輸出效率報導，激光輸出功率基本達到國內最高水平；在國際上率先用熔鹽法在低于一個大氣壓條件的溫和條件下生長出了尺寸達5mm的高質量氮化鎵自由體單晶，光學質量和結晶質量數據比報導的高；利用分子束外延（MBE）生長手段，制備了高質量的InxGa1-xN量子點并提出了生長動力學的演化理論模型；制備了P型ZnO膜以及低In組份低成本高性能的摻In-ZnO透明導電膜；全光譜InGaN薄膜太陽電池方面制備了高質量全In組份InGaN薄膜及期原型太陽電池。相關結果以第一作者分別在Appl. Phys. Lett.和Phys. Rev.B兩個期刊上進行了報道（7篇）。

近五年基金項目：

1、科技部973及納米重大科學研究計劃子課題，高效太陽電池材料研究方向，子課題負責人。

2、863重大課題，激光透明陶瓷方向，副組長。

3、中科院重要方向性項目，激光陶瓷方向，課題負責人。

4、福建省科技重點項目，激光陶瓷，課題負責人。

5、物構所重大專項等十余項基金，課題負責人。

6、物構所-上海浦東能源基地項目（已獲批準，08年底啟動，3700萬元平臺，600萬元項目），項目負責人。

代表性論著：

1. Optical properties of indium doped ZnO films fabricated by magnetron sputtering,Jap. J. Appl. Phys. Part I.45(3A),1623(2006).

2.Low-resistivity p-ZnO films fabricated by sol-gel spin coating, Appl. Phys. Lett.88,251116(2006).

3.In siturevelation of zinc-blende InN wetting layer during Stranski-Krastanov growth on GaN(0001) by molecular-beam Epitaxy, Phys. Rev. B. 71,155322(2005).

4.Scaling of three-dimensional InN islands grown on GaN (0001) by Molecular-beam Epitaxy, Phys. Rev. B (Rapid Comm.),68,161304(2003).

5.InN island shape and its dependence on growth condition of molecular-beam epitaxial growth, Appl. Phys. Lett.83,5157(2003).