2017年哈爾濱工業(yè)大學(xué)半導(dǎo)體物理考研初試大綱

• 2025考研復(fù)試伴學(xué)班
• 2025考研復(fù)試標(biāo)準(zhǔn)班
• 2026考研英語全程班
• 26考研全科上岸規(guī)劃營「擇校▪規(guī)劃▪備考」
• 哈爾濱工業(yè)大學(xué)2025考研專業(yè)課復(fù)習(xí)資料「真題▪筆記▪講義▪題庫」

碩士研究生入學(xué)考試大綱

考試科目名稱：半導(dǎo)體物理  考試科目代碼：[806]

一、考試要求：

全面系統(tǒng)地掌握半導(dǎo)體物理的基本概念、基本原理和物理過程，并能夠運用理論對實際問題進(jìn)行分析和計算。

二、考試內(nèi)容：

1）能帶論
a:半導(dǎo)體電子狀態(tài)和能帶
b:半導(dǎo)體電子的運動
c:本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)
d:硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)
2)雜質(zhì)半導(dǎo)體理論
a:硅和鍺晶體中的雜質(zhì)能級
b:缺陷、位錯能級
3)載流子的統(tǒng)計分布
a:狀態(tài)密度與載流子的統(tǒng)計分布
b:本征與雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
c:一般情況下載流子統(tǒng)計分布
d:簡并半導(dǎo)體
4)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
a:載流子的漂移運動與散射運動
b:遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
5)非平衡載流子
a:非平衡載流子的注入、復(fù)合與壽命
b:準(zhǔn)費米能級
c:復(fù)合理論
d:陷阱效應(yīng)
e:電流密度方程
f:連續(xù)性方程
6)p-n結(jié)理論
a:p-n結(jié)及其能帶圖
b:p-n結(jié)電流電壓特性
7)金屬-半導(dǎo)體接觸理論
a:金-半接觸、能帶及整流理論
b:歐姆接觸
8)半導(dǎo)體表面理論
a:表面態(tài)及表面電場效應(yīng)
b:MIS結(jié)構(gòu)電容-電壓特性
c:硅-二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)
d:表面電場對p-n結(jié)特性的影響
9)半導(dǎo)體光電效應(yīng)
a:半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù)和光吸收
b:半導(dǎo)體的光電導(dǎo)效應(yīng)
c:半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)
d:半導(dǎo)體發(fā)光和半導(dǎo)體激光

三、試卷結(jié)構(gòu)：

a)考試時間：180分鐘，滿分：150分
b)題型結(jié)構(gòu)
a:概念簡答題（30分)
b:論述題(60分)
c:理論推導(dǎo)及應(yīng)用計算題(60分)

四、參考書目

1.劉恩科，半導(dǎo)體物理學(xué)（第四版），國防工業(yè)出版社
2.劉曉為等，固態(tài)電子論，電子工業(yè)出版社