2017年哈爾濱工業大學半導體物理Ⅱ考研初試大綱

• 2025考研復試伴學班
• 2025考研復試標準班
• 2026考研英語全程班
• 26考研全科上岸規劃營「擇校▪規劃▪備考」
• 哈爾濱工業大學2025考研專業課復習資料「真題▪筆記▪講義▪題庫」

《半導體物理》考試大綱

考試科目名稱：半導體物理Ⅱ 考試科目代碼：[829]

一、考試要求：

要求考生系統地掌握半導體物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半導體的物理性能。要求考生對半導體的晶體結構和能帶論、載流子統計分布、載流子輸運過程、p-n結理論、金屬-半導體接觸理論、半導體光電效應等基本原理有很好的掌握，并能熟練運用分析半導體的光電特性。

二、考試內容：

1）半導體晶體結構和能帶論
a:半導體晶格結構及電子狀態和能帶
b:半導體中電子的運動
c:本征半導體的導電機構
d:硅和鍺及常用化合物半導體的能帶結構
2)雜質半導體理論
a:硅和鍺晶體中的雜質能級
b:常用化合物半導體中的雜質能級
c:缺陷、位錯能級
3)載流子的統計分布
a:狀態密度與載流子的統計分布
b:本征與雜質半導體的載流子濃度
c:一般情況下載流子統計分布
d:簡并半導體
4)半導體的導電性
a:載流子的漂移運動與散射機構
b:遷移率、電阻率與雜質濃度和溫度的關系
c:多能谷散射、耿氏效應
5)非平衡載流子
a:非平衡載流子的注入、復合與壽命
b:準費米能級
c:復合理論、陷阱效應
d:載流子的擴散、電流密度方程
e:連續性方程
6)p-n結理論
a:p-n結及其能帶圖
b:p-n結電流電壓特性
c:p-n結電容、p-n結隧道效應
7)金屬-半導體接觸理論
a:金-半接觸、能帶及整流理論
b:歐姆接觸
8)半導體光電效應
a:半導體的光學性質（光吸收和光發射）
b:半導體的光電導效應
c:半導體的光生伏特效應
d:半導體發光二極管、光電二極管

三、試卷結構：

a)考試時間：180分鐘，滿分：150分
b)題型結構
a:概念及簡答題（60分）
b:論述題（90分）
c）內容結構
a:半導體晶體結構和能帶論及雜質半導體理論（30分）
b:載流子的統計分布（20分）
c:半導體的導電性（20分）
d:非平衡載流子（20分）
e:p-n結理論和金屬-半導體接觸理論(30分)
f:半導體光電效應(30分)

四、參考書目

1.劉恩科，朱秉升，羅晉升編著.半導體物理學.電子工業出版社,2011.03.
2.[美]施敏（S.M.Sze），半導體器件物理，電子工業出版社，1987.12.