北京工業(yè)大學(xué)信息學(xué)部電子科學(xué)與技術(shù)研究生導(dǎo)師：朱慧

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北京工業(yè)大學(xué)信息學(xué)部電子科學(xué)與技術(shù)研究生導(dǎo)師朱慧介紹如下：

一、基本情況： 朱慧（1980-），女，博士，副教授，碩士生導(dǎo)師。 2003年畢業(yè)于中國(guó)礦業(yè)大學(xué)（北京）材料科學(xué)與工程專業(yè)，獲得學(xué)士學(xué)位。同年赴英國(guó)劍橋大學(xué)學(xué)習(xí)，2004年畢業(yè)于劍橋大學(xué)材料專業(yè)，獲得碩士學(xué)位，2010年畢業(yè)于劍橋大學(xué)電子工程專業(yè)，獲得博士學(xué)位。2011年至今在北京工業(yè)大學(xué)工作。

二、主要研究方向：新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器（鐵電薄膜存儲(chǔ)器、阻變存儲(chǔ)器等），新型半導(dǎo)體器件可靠性機(jī)理。

三、主持科研項(xiàng)目：主持國(guó)家自然科學(xué)基金、北京市自然科學(xué)基金、教育部博士點(diǎn)學(xué)科專項(xiàng)科研基金、教育部留學(xué)回國(guó)人員科研啟動(dòng)基金、北京市教育委員會(huì)科技計(jì)劃一般項(xiàng)目等多個(gè)科研項(xiàng)目。1、鐵電薄膜應(yīng)用于鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器的失效機(jī)理研究，國(guó)家自然科學(xué)基金青年項(xiàng)目，2013-2015；2、GaN HEMT 中的殘余應(yīng)力以及應(yīng)力對(duì)器件性能的影響，北京市自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，2012-2014；3、鐵電薄膜應(yīng)用于鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器的失效機(jī)理研究，2013-2015，教育部博士點(diǎn)學(xué)科專項(xiàng)科研基金；4、鐵電薄膜應(yīng)用于鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器的失效機(jī)理研究，教育部留學(xué)回國(guó)人員科研啟動(dòng)基金，2013-2015；5、應(yīng)力對(duì)于鐵電薄膜電學(xué)性能影響的研究，北京市教育委員會(huì)科技計(jì)劃一般項(xiàng)目，2016-2017；6、AlGaN/GaN HEMT 的應(yīng)力效應(yīng)及其影響機(jī)理的研究，北京市自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，2016-2018。

四、代表性科研論文：1. Effect of poling process on resistive switching in Au/BiFeO3/SrRuO3 structures, H. Zhu, Y. Zhang, et al. Applied Physics Letters 109, 252901 (2016), SCI; 2. Investigation of fatigue behavior of Pb(Zr0.45Ti0.55)O3 thin films, H. Zhu, Y. Chen, et al. Japanese Journal of Applied Physics 55, 091501 (2016), SCI; 3. The effect of external stress on the electrical characteristics AlGaN/GaN HEMTs, K. Liu, H. Zhu, et al. Microelectronics Reliability 55, 886 (2015), SCI; 4. The effect of external stress on the properties of AlGaAs/GaAs single quantum well laser diodes, H. Zhu, K. Liu, et al. Microelectronics Reliability 55, 62 (2015), SCI; 5. Measurement of residual stresses in ferroelectric Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 thin films by x-ray diffraction, H. Zhu, D. Chu, et al. Japanese Journal of Applied Physics, 52, 128004 (2013), SCI; 6. Polarization switching induced decrease of bulk resistivity in ferroelectric Pb(Zr0.45Ti0.55)O3 thin films and a method to improve their fatigue endurance, H. Zhu, D. Chu, et al. Chinese Physics Letters, 30, 127702 (2013), SCI; 7. A study of capacitance–voltage characteristics of lead zirconate titanate ferroelectric thin films and their usage to investigate polarization and coercive field, H. Zhu, D. Chu, et al. Journal of Physics: Condensed Matter 23, 495901 (2011), SCI; 8. Polarization change in ferroelectric thin film capacitors under external stress, H. Zhu, D. Chu, et al. Journal of Applied Physics 105, 061609 (2009), SCI; 9. Polarization change of PZTN ferroelectric thin films under uniform in-plane tensile stress, Integrated Ferroelectrics 95, 117 (2007), SCI.

五、聯(lián)系方式：

電話：010-67396955，

E-mail: zhuhui@bjut.edu.cn，

地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)平樂(lè)園100號(hào)北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院（郵編100124）