2018年遼寧大學考研845微電子學基礎考試大綱

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2018年遼寧大學研究生考試845微電子學基礎考試大綱公布如下

《微電子學基礎》考試大綱

一、總體要求
主要考察學生掌握“微電子器件及集成電路”的基本知識、基本理論的情況，以及用這些基本知識和基本理論分析問題和解決問題的能力。 
二、考試內容
微電子學基礎的考試內容由兩部分構成,分別為微電子器件和半導體集成電路的基礎知識，所占比例基本相同。具體如下：
（一）微電子器件考試內容
1．半導體器件基本方程
1）一維形式的半導體器件基本方程
2）基本方程的主要簡化形式 
2．PN結
1）突變結與線性緩變結的定義 
2）PN結空間電荷區(qū)的形成 
3）耗盡近似與中性近似
4）耗盡區(qū)寬度、內建電場與內建電勢的計算 
5）正向及反向電壓下PN結中的載流子運動情況 
6）PN結的能帶圖 
7）PN結的少子分布圖 
8）PN結的直流伏安特性
9）PN結反向飽和電流的計算及影響因素 
10）薄基區(qū)二極管的特點 
11）大注入效應
12）PN結雪崩擊穿的機理、雪崩擊穿電壓的計算及影響因素、齊納擊穿的機理及特點、熱擊穿的機理
13）PN結勢壘電容與擴散電容的定義、計算與特點 
14）PN結的交流小信號參數與等效電路 
15）PN結的開關特性與少子存儲效應 
3．雙極型晶體管
1）雙極型晶體管在四種工作狀態(tài)下的少子分布圖與能帶圖 
2）基區(qū)輸運系數與發(fā)射結注入效率的定義及計算
3）共基極與共發(fā)射極直流電流放大系數的定義及計算 
4）基區(qū)渡越時間的概念及計算 
5）緩變基區(qū)晶體管的特點
6）小電流時電流放大系數的下降 
7）發(fā)射區(qū)重摻雜效應
8）晶體管的直流電流電壓方程、晶體管的直流輸出特性曲線圖 
9）基區(qū)寬度調變效應
10）晶體管各種反向電流的定義與測量
11）晶體管各種擊穿電壓的定義與測量、基區(qū)穿通效應 
12）方塊電阻的概念及計算
13）晶體管的小信號參數 
14）晶體管的電流放大系數與頻率的關系、組成晶體管信號延遲時間的四個主要時間常數、高頻晶體管特征頻率的定義、計算與測量、影響特征頻率的主要因素 
15）高頻晶體管最大功率增益與最高振蕩頻率的定義與計算，影響功率增益的主要因素 
4．絕緣柵場效應晶體管（MOSFET） 
1）MOSFET的類型與基本結構 
2）MOSFET的工作原理 
3）MOSFET閾電壓的定義、計算與測量、影響閾電壓的各種因素、閾電壓的襯底偏置效應 
4）MOSFET在非飽和區(qū)的簡化的直流電流電壓方程 
5）MOSFET的飽和漏源電壓與飽和漏極電流的定義與計算
6）MOSFET的輸出特性和轉移特性（包括常見的二級效應）
（二）半導體集成電路考試內容
1、常見MOS反相器（電阻、E/E飽和型、E/E非飽和型和E/DMOS）基本工作原理及其瞬態(tài)特性
1）常見MOS反相器的靜態(tài)特性。
2）常見MOS反相器的傳輸特性。
3）常見MOS反相器的噪聲特性.
4) 常見MOS反相器的瞬態(tài)特性。
5) 常見MOS反相器的速度功耗乘積。
2、CMOS反相器基本工作原理及其瞬態(tài)特性
1) CMOS反相器的靜態(tài)特性。
2) CMOS反相器的傳輸特性。
3) CMOS反相器的噪聲特性。
4) CMOS反相器閾值電平。
3、MOS傳輸門的基本工作原理
1) NMOS傳輸門傳輸過程
2) PMOS傳輸門傳輸過程
3) CMOS傳輸門傳輸過程
4、MOS門電路的設計
1) NMOS傳輸門門電路設計（與、或、與非、或非、與或非、異或、同或）
2) CMOS傳輸門門電路設計（與、或、與非、或非、與或非、異或、同或）
5、集成電路工藝流程
1) Bipolar IC工藝流程
2) CMOS IC工藝流程
6、模擬基本放大電路的工作原理
1）共射、共基、共集電放大電路的靜態(tài)工作點設置
2）共射、共基、共集電放大電路的交流小信號等效電路
3）共射、共基、共集電放大電路的電壓放大倍數、輸入電阻和輸出電阻的求解
4）基本放大電路飽和失真和截止失真產生的原因，如何消除基本放大電路所處失真狀態(tài)
三、題型 
選擇題、 填空題、 簡述題、 繪圖題、計算題等。