2019年清華大學(xué)微電子與納電子學(xué)系全國(guó)優(yōu)秀大學(xué)生夏令營(yíng)

• 2025考研復(fù)試標(biāo)準(zhǔn)班
• 26考研全科上岸規(guī)劃營(yíng)「擇校▪規(guī)劃▪備考」
• 清華大學(xué)2026考研專業(yè)課復(fù)習(xí)資料「真題▪筆記▪講義▪題庫(kù)」

為了促進(jìn)中國(guó)高校優(yōu)秀大學(xué)生之間的學(xué)術(shù)交流，向各校優(yōu)秀學(xué)生提供了解清華大學(xué)微電子與納電子學(xué)系/微電子學(xué)研究所的機(jī)會(huì)，清華大學(xué)微電子與納電子學(xué)系將舉辦全國(guó)優(yōu)秀大學(xué)生夏令營(yíng)活動(dòng)。

本次夏令營(yíng)活動(dòng)將于 7 月中旬（10~12 日） 在清華大學(xué)校內(nèi)舉行，內(nèi)容包括學(xué)科前沿講座、師生座談、參觀訪問(wèn)等。舉辦夏令營(yíng)的具體地點(diǎn)、日程安排及考核辦法等，將在夏令營(yíng)活動(dòng)舉辦前一周正式通知入選營(yíng)員，并在清華大學(xué)微電子與納電子學(xué)系/微電子學(xué)研究所網(wǎng)站上公布。

入營(yíng)人數(shù)將根據(jù)報(bào)名情況來(lái)確定，計(jì)劃招收 80 名學(xué)員。錄取名單將在清華大學(xué)微電子與納電子學(xué)系/微電子學(xué)研究所網(wǎng)站上公布并直接通知學(xué)員本人（以電子郵件形式），未收到通知者即為未入選者，不再另行通知。

夏令營(yíng)期間，我系將全程為所有參營(yíng)學(xué)員提供食宿服務(wù)，營(yíng)員往返交通費(fèi)自理。

一、申請(qǐng)資格

1．申請(qǐng)者應(yīng)為全國(guó)各高校本科三年級(jí)在校生（2020 屆畢業(yè)生）；

2. 申請(qǐng)者應(yīng)主要為微電子學(xué)及相關(guān)專業(yè)本科生，同時(shí)歡迎對(duì)微電子學(xué)科具有濃厚興趣的優(yōu)秀理工科學(xué)生申請(qǐng)；

3. 英語(yǔ)水平良好，達(dá)到國(guó)家六級(jí)水平（TOFEL、 GRE、雅思成績(jī)可供參考）；

4. 有可能獲得所在學(xué)校當(dāng)年研究生推薦免試資格。

二、申請(qǐng)材料

1. 清華大學(xué)微電子與納電子學(xué)系全國(guó)優(yōu)秀大學(xué)生夏令營(yíng)申請(qǐng)表 1 份（附件1：申請(qǐng)表 )

2. 個(gè)人陳述 1 份；

3. 專家推薦信 2 封（附件2：專家推薦表），即需要 2 位副教授以上職稱專家分別推薦，且密封并在封口騎縫處簽字；

4. 本科階段成績(jī)單 1 份(教務(wù)部門蓋章原件)；

5. 本科階段成績(jī)排名證明 1 份(教務(wù)部門蓋章原件)；

6. 獲獎(jiǎng)證書（如有）復(fù)印件 1 份；

7. 國(guó)家英語(yǔ)六級(jí)考試成績(jī)或 TOEFL 成績(jī)、 GRE/GMAT 成績(jī)等體現(xiàn)自身英語(yǔ)水平的證明材料復(fù)印件 1 份；

8. 申請(qǐng)人還可提交體現(xiàn)自身學(xué)術(shù)水平的代表性論文、出版物或原創(chuàng)性工作成果等材料的復(fù)印件 1 份。

請(qǐng)按以上順序排列材料，提供的申請(qǐng)材料一律不退還。 （附件3：安全協(xié)議書）

三、申請(qǐng)方式

請(qǐng)將紙質(zhì)申請(qǐng)材料郵寄至如下地址：

北京市海淀區(qū)清華大學(xué)微電子所業(yè)務(wù)辦 206 房間，錢老師（收）郵政編碼： 100084 信封上注明“夏令營(yíng)申請(qǐng)材料”。夏令營(yíng)活動(dòng)報(bào)名紙質(zhì)材料接收截止時(shí)間為 6 月 10 日（以當(dāng)?shù)剜]戳為準(zhǔn)），過(guò)期不再接受申請(qǐng)。

清華大學(xué)微電子與納電子學(xué)系

2019年05月05日