微電子技術(shù)概論
- 所屬分類：
- 作者：
孟祥忠 主編
- 出版社：
機(jī)械工業(yè)出版社
- ISBN：9787111278054
- 出版日期：2009-9-1
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原價(jià)：
￥18.00元
現(xiàn)價(jià)：￥13.50元
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圖書簡介
本書為微電子技術(shù)專業(yè)的入門教材。主要內(nèi)容包括微電子科學(xué)技術(shù)的發(fā)展歷程及微電子學(xué)的特點(diǎn)，半導(dǎo)體物理與器件基礎(chǔ)，集成電路基礎(chǔ)，集成電路制造工藝，集成電路的設(shè)計(jì)，集成電路設(shè)計(jì)的CAD系統(tǒng)以及系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)。
本書內(nèi)容安排合理，堅(jiān)持“實(shí)用為主，夠用為度”的原則，結(jié)構(gòu)清晰，語言通俗易懂。通過本書的學(xué)習(xí)，既對微電子學(xué)有一個(gè)全面的、概要的了解，學(xué)習(xí)后又不覺得膚淺，并把微電子學(xué)領(lǐng)域的一些最新觀點(diǎn)、最新成果涵蓋其中。
本書可作為高職高專電子信息類、電氣類各專業(yè)的教材，也可供微電子技術(shù)專業(yè)人員參考。
目錄
前言
第1章 緒論
1.1 微電子科學(xué)技術(shù)的發(fā)展歷程
1.1.1 晶體管的發(fā)明
1.1.2 集成電路的發(fā)展歷史及規(guī)律
1.1.3 我國微電子技術(shù)的發(fā)展概況
1.2 微電子學(xué)的特點(diǎn)
習(xí)題一
第2章 半導(dǎo)體物理與器件基礎(chǔ)
2.1 半導(dǎo)體的特性
2.1.1 半導(dǎo)體材料
2.1.2 半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)
2.1.3 半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)
2.1.4 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
2.2 半導(dǎo)體中的載流子
2.2.1 本征半導(dǎo)體
2.2.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
2.2.3 半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
2.3 PN結(jié)
2.3.1 平衡狀態(tài)下的PN結(jié)
2.3.2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?br> 2.3.3 PN結(jié)的伏一安特性
2.3.4 PN結(jié)的擊穿
2.3.5 PN結(jié)電容
2.3.6 異質(zhì)PN結(jié)
2.4 雙極型晶體管
2.4.1 雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)
2.4.2 雙極型晶體管的直流放大原理
2.4.3 雙極型晶體管的直流特性
2.4.4 雙極型晶體管的反向電流和擊穿電壓
2.4.5 雙極型晶體管的頻率特性
2.5 MOS場效應(yīng)晶體管
2.5.1 MOS場效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)
2.5.2 MOS場效應(yīng)晶體管的工作原理
2.5.3 MOS場效應(yīng)晶體管的直流特性曲線
習(xí)題二
第3章 集成電路基礎(chǔ)
3.1 概述
3.1.1 集成電路的分類
3.1.2 集成電路的發(fā)展史
3.1.3 集成電路制造簡介
3.2 雙極型晶體管集成電路基礎(chǔ)
3.2.1 平面雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)
3.2.2 雙極型晶體管模擬集成電路
3.2.3 雙極型晶體管數(shù)字集成電路
3.3 場效應(yīng)晶體管集成電路基礎(chǔ)
3.3.1 集成電路中的場效應(yīng)晶體管
3.3.2 MOS集成電路
3.3.3 CMOS集成電路
3.3.4 BiCMOS集成電路
習(xí)題三
第4章 集成電路制造工藝
4.1 工藝技術(shù)
4.2 基本工藝步驟
4.3 CMOS集成電路的工藝流程
4.4 氧化
4.4.1 SiO2的性質(zhì)及其作用
4.4.2 熱氧化形成SiO2的機(jī)理
4.4.3 SiO2的制備方法
4.4.4 高溫爐設(shè)備
4.4.5 熱氧化工藝
4.5 光刻
4.5.1 光刻工藝簡介
4.5.2 幾種常見的光刻方法
4.5.3 超細(xì)線條光刻技術(shù)
4.6 刻蝕
4.7 擴(kuò)散
4.7.1 擴(kuò)散的基本原理
4.7.2 擴(kuò)散工藝
4.8 離子注入
4.8.1 離子注入簡介
4.8.2 離子注入的原理
……
第5章 集成電路設(shè)計(jì)
第6章 集成電路設(shè)計(jì)的EDA系統(tǒng)
第7章 系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)
附錄
參考文獻(xiàn)
